|
|
|
Условное графическое обозначение транзисторов
Ниже приведено условное графическое обозначение биполярных, полевых и спешиал транзистров
Рис. 1 Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры n-p-n
На рисунке буква d означает диаметр в мм. 1/3d и 2/3d соответственно треть и две трети от диаметра.
Рис. 2 Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p
Рис. 3 Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
Рис. 4 Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
Рис. 5 Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа
Рис. 6 Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа
Рис. 7 Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа
Рис. 8 Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа
Рис. 9 Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки)
Примечание: транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике. Это так, для общего познания.
Рис. 10 Обозначение многоэмиттерного транзистора
Рис. 11 Условное графическое обозначение фототранзистора
|
|
|
